2SK3082(S)

更新时间： 2024-02-26 07:49:37

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	59K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.15ohm, LDPAK-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3082(S) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3082(S) 数据手册

2SK3082(L),2SK3082(S)

Maximun Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

= 10 A

= 25 V

duty < 0.1 %

10 V

5 V

Ω

Rg > 50

= 0, –5 V

Pulse Test

1.6 2.0

0.4

0.8

1.2

100

125

150

Source to Drain Voltage

(V)

Channel Temperature Tch (°C)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

DSS

– V

• L • I

•

DSS

Monitor

(BR)DSS

D. U. T

Vin

15 V

50Ω

1...3 4 567 8 9

下载PDF

与2SK3082(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3082(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-263ABVAR	获取价格
2SK3082(S)-(2)	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
2SK3082L	HITACHI	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK3082L-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK3082S	HITACHI	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK3082STL-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格