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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3093 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220CI |
|
| 2SK3093LS | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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| 2SK3094 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK3095 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220CI |
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| 2SK3095LS | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
|
| 2SK3096 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK3097 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220CI |
|
| 2SK3097LS | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
|
| 2SK3098 | SANYO |
获取价格 |
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SK3099 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220CI |
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