2SK2980

更新时间： 2024-01-19 19:41:12

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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7页	81K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2980 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59A	包装说明：	LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2980 数据手册

2SK2980

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

100

1.6

1.2

0.8

0.4

Test condition :

When using alumina ceramic board

(12.5 x 20 x 0.7 mm)

10 µs

100 µs

0.3

0.1

Operation in

this area is

limited by R

DS(on)

0.03

0.01

Ta = 25°C

100

150

200

0.1 0.3

100

Ambient Temperature Ta (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

4 V

Pulse Test

2.5 V

2 V

25°C

75°C

Tc = –25°C

1.8 V

V_DS= 10 V

Pulse Test

V_GS= 1.5 V

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

Pulse Test

0.5

V_GS= 2.5 V

0.2

I_D= 1 A

4 V

0.5 A

0.2 A

0.1

0.05

0.1

0.2

0.5

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6

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