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2SK2978ZYTL-E

更新时间： 2024-01-17 10:44:08

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2978ZYTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2978ZYTL-E 数据手册

2SK2978

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

2.0

1.5

1.0

0.5

Test condition (Note 5) :

When using the alumina ceramic

board (12.5 x 20 x 0.7 mm)

DC Operation (Note 5)

0.3

0.1

Operation in

this area is

limited by R

DS(on)

0.03

0.01

Ta = 25°C

100

150

200

0.1 0.3

100

Ambient Temperature Ta (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

5 V

Typical Transfer Characteristics

10 V

3 V

Pulse Test

V_DS= 10 V

Pulse Test

2.5 V

2 V

75°C

25°C

V_GS= 1.5 V

Tc = –25°C

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

0.8

0.6

0.4

0.2

Pulse Test

0.5

0.2

0.1

V_GS= 2.5 V

I_D= 5 A

2.5 A

4 V

0.05

0.02

0.01

1.5 A

1 A

0.1 0.2

0.5

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.5.00 Sep. 07, 2005 page 3 of 6

1 234 5 6 7

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