2SK2955

更新时间： 2024-11-14 22:52:55

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2955 数据手册

2SK2955

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-564B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS=0.010 Ω typ.

•

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

TO–3P

1. Gate

2. Drain

(Flange)

3. Source

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK2955-E	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2955	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2955-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2956	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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2SK2957(L)	RENESAS	获取价格	50A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
2SK2957(L)\|2SK2957(S)	ETC	获取价格
2SK2957(S)	RENESAS	获取价格	50A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
2SK2957(S)-(1)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET