2SK2958(S)

更新时间： 2024-11-14 23:20:39

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	53K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-263AB

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK2958(S) 数据手册

2SK2958(L),2SK2958(S)

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-568B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 5.5mΩ typ.

•

4V gate drive devices.

High speed switching

Outline

LDPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2958(S)-(1)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,75A I(D),TO-263ABVAR
2SK2958(S)-(2)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,75A I(D),TO-263AB
2SK2958(S)TL	RENESAS	获取价格	75A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2958(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2958(S)TR	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK2958(S)TR	RENESAS	获取价格	75A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2958L	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2958L-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2958S	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2958STL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching