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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2957 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2957 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2957(L) | RENESAS |
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50A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2957(L)|2SK2957(S) | ETC |
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| 2SK2957(S) | RENESAS |
获取价格 |
50A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2957(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2957(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2957(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
50A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2957(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2957(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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