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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-67 | 包装说明： | LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2662(T) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB |
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| 2SK2662_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK2662T | TOSHIBA |
获取价格 |
DCâDC Converter, Relay Drive and Motor Driv |
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| 2SK2663 | SHINDENGEN |
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HVX-2 Series Power MOSFET(900V 1A) |
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| 2SK2664 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) |
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| 2SK2665 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) |
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| 2SK2666 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) |
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| 2SK2667 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) |
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| 2SK2668 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) |
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| 2SK2669 | SHINDENGEN |
获取价格 |
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 5A) |
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