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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 55 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 560 ns | 最大开启时间（吨）： | 170 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2676 | SHINDENGEN |
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HVX-2 Series Power MOSFET(900V 10A) |
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| 2SK2677 | SHINDENGEN |
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HVX-2 Series Power MOSFET(900V 10A) |
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| 2SK2679 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 2SK2679(T) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-220AB |
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| 2SK2679_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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| 2SK2679_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive |
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| 2SK2680LS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK2681LS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK2682 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220FI |
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| 2SK2682LS | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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