5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220E |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 15 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2131 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK2131-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2132 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK2132-T | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,4A I(D),SIP |
|
| 2SK2133 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistor |
|
| 2SK2133 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance RDS(on)=0.21 MAX.VGS=10V,ID=8.0A Low Ciss Ciss=1090 pF TYP. |
|
| 2SK2133 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK2133-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK2133-AZ |
|
| 2SK2133-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK2133-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
