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2SK2140

更新时间： 2024-02-27 19:09:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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2SK2140 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：16.3 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2140 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2140, 2SK2140-Z  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SK2140, 2SK2140-Z is N-channel Power MOS Field Effect  
Transistor designed for high voltage switching applications.  
(in millimeters)  
10.6 MAX.  
4.8 MAX.  
3.6 0.ꢀ  
FEATURES  
1.3 0.ꢀ  
10.0  
• Low On-state Resistance  
RDS(on) = 1.5 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.5 A)  
4
• Low Ciss  
Ciss = 930 pF TYP.  
1 ꢀ 3  
• High Avalanche Capability Ratings  
0.5 0.ꢀ  
1.3 0.ꢀ  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
0.75 0.1  
ꢀ.54  
ꢀ.8 0.ꢀ  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
600  
±30  
±7.0  
±28  
75  
V
V
ꢀ.54  
1. Gate  
ꢀ. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
Drain Current (DC)  
A
Drain Current (pulse)*  
A
JEDEC: TO-ꢀꢀ0AB  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)  
Storage Temperature  
W
W
MP-25 (TO-220)  
PT2  
1.5  
4.8 MAX.  
(10.0)  
1.3 0.ꢀ  
Tstg –55 to +150 ˚C  
4
Channel Temperature  
Tch  
IAS  
150  
7.0  
˚C  
A
Single Avalanche Current**  
Single Avalanche Energy**  
EAS  
16.3  
mJ  
1.4 0.ꢀ  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
1.0 0.3  
0.5 0.ꢀ  
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0  
(ꢀ.54) (ꢀ.54)  
1
ꢀ 3  
1. Gate  
ꢀ. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
MP-25Z (SURFACE MOUNT TYPE)  
Drain  
Body  
Diode  
Gate  
Source  
Document No. TC-2513  
(O. D. No. TC-8072)  
Date Published February 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2140Z ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB
2SK2140-Z NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2140-Z RENESAS

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 		7A, 600V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, 3 PIN
2SK2141 NEC

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2SK2142 ETC

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2SK2145 TOSHIBA

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2SK2145_07 TOSHIBA

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 		N CHANNEL JUNCTION TYPE (AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2145BL ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 6MA I(DSS) | SOT-353
2SK2145-BL TOSHIBA

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 		暂无描述

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