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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.35 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2131-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2132 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2132-T | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,4A I(D),SIP |
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| 2SK2133 | KEXIN |
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MOS Field Effect Power Transistor |
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| 2SK2133 | TYSEMI |
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Low on-resistance RDS(on)=0.21 MAX.VGS=10V,ID=8.0A Low Ciss Ciss=1090 pF TYP. |
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| 2SK2133 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2133-AZ | RENESAS |
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2SK2133-AZ |
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| 2SK2133-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2133-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2133-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK2133-Z-AZ |
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