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2SK213-E

更新时间: 2024-01-03 05:26:40
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 65K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK213-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.36
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.5 A最大漏极电流 (ID):0.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK213-E 数据手册

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2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0903-0200  
(Previous: ADE-208-1241)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High frequency and low frequency power amplifier, high speed switching.  
Complementary pair with 2SJ76, J77, J78, J79  
Features  
Suitable for direct mounting  
High forward transfer admittance  
Excellent frequency response  
Enhancement-mode  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A  
(Package name: TO-220AB)  
D
1. Gate  
G
2. Source  
(Flange)  
3. Drain  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5  

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