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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 8.3 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2138Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK2138-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2139 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK213-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK214 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK214 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2140 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK2140Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK2140-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2140-Z | RENESAS |
获取价格 |
7A, 600V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, 3 PIN |
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