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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.2 | 雪崩能效等级（Eas）： | 392 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2137 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2138 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK2138Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
|
| 2SK2138-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2139 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK213-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK214 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK214 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2140 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2140Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
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