2SK2126

更新时间： 2024-09-22 22:52:51

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK2126 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2126 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK2126

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 100mJ

unit: mm

● V_GSS= ±30V guaranteed

● High-speed switching: t_f= 40ns

● No secondary breakdown

4.6±0.2

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

2.6±0.1

1.2±0.15

0.7±0.1

1.45±0.15

● Switching power supply

0.75±0.1

2.54±0.2

5.08±0.4

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

2 3

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

500

1: Gate

2: Drain

3: Source

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

±5

Drain current

TO-220E Package

I_DP

±10

EAS^*

100

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 8mH, I_L= 5A, V_DD= 50V, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

_DS= 400V, V_GS= 0

0.1

±1

I_GSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 3A

V_DS= 25V, I_D= 3A

I_DR= 5A, V_GS= 0

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

500

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

1.35

3.5

1.7

Ω

−1.6

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

700

100

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

V_GS= 10V, I_D= 3A

Fall time

t_f

V_DD= 150V, R_L= 50Ω

Turn-off time (delay time)

Thermal resistance between channel and case

t_d(off)

R_th(ch-c)

2.5

°C/W

12 3

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