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2SK211YTE85R

更新时间: 2024-11-06 14:39:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 122K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal

2SK211YTE85R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.09
配置:SINGLEFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):0.15 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK211YTE85R 数据手册

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