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2SK212

更新时间: 2024-11-17 22:52:51
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三洋 - SANYO /
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5页 124K
描述
N-Channel Junction Silicon FET(FM Tuner Applications)

2SK212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.83
配置:SINGLE最大漏极电流 (ID):0.02 A
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):0.15 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK212 数据手册

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