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2SK2096

更新时间: 2024-11-16 22:52:51
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日立 - HITACHI 晶体晶体管开关脉冲局域网
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7页 40K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK2096 数据手册

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2SK2096  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Avalanche ratings  
Outline  
TO-3P  
D
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
S

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