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2SK2098

更新时间： 2024-11-29 22:52:51
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富士电机 - FUJI /
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描述
N-channel MOS-FET

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2SK2098 数据手册

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N-channel MOS-FET  
2SK2098-01MR  
FAP-III Series  
150V 0,08W 20A  
50W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
- Avalanche Proof  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
150  
DS  
V
150  
V
Drain-Gate-Voltage (RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
DGR  
I
20  
80  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±20  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
50  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
150  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
1,0  
2,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
VDS=150V  
I
10  
0,2  
µA  
mA  
nA  
W
W
S
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±20V  
ID=10A  
Gate Source Leakage Current  
I
10  
100  
0,1  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,065  
0,055  
20  
DS(on)  
ID=10A  
VGS=10V  
VDS=25V  
0,08  
ID=10A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
10  
fs  
VDS=25V  
C
2300  
330  
150  
15  
3450  
500  
230  
25  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=20A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
20  
30  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=25W  
t
450  
100  
700  
150  
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
20  
AV  
Continous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
I
20  
80  
A
DR  
I
A
DRM  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
V
1,0  
125  
0,6  
1,50  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Reverse Recovery Charge  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,5 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2098-01M ETC

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