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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | CASCODE J-FET |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.15 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1620 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1620 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1620(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK1620(L)|2SK1620(S) | ETC |
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| 2SK1620(S) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.15ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1620(S) | RENESAS |
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0.15ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1620(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1620(S)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1620(S)TL | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SK1620(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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