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2SK1620S

更新时间: 2024-11-12 06:26:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 90K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1620S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:LDPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.15 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1620S 数据手册

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2SK1620(L), 2SK1620(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0957-0200  
(Previous: ADE-208-1298)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
4
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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