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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LDPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1620STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1621(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK1621(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK1621L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1621S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1622 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1622(L) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1622(S) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1622(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1622(S)TL | RENESAS |
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25A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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