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2SK1622(S)

更新时间: 2024-11-12 18:49:39
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1622(S) 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.31Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YESBase Number Matches:1

2SK1622(S) 数据手册

  

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