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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1624L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1624L | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,4A I(D),TO-262AA |
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| 2SK1624S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1624S | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,4A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK1625 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1625(L) | RENESAS |
获取价格 |
1.3 ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1625(S) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK1625(S) | RENESAS |
获取价格 |
1.3ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1625(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
7A, 600V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1625(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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