5秒后页面跳转
2SK1623STL-E PDF预览

2SK1623STL-E

更新时间: 2024-09-24 06:26:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1623STL-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-83
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.69Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1623STL-E 数据手册

 浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1623STL-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SK1623(L), 2SK1623(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0958-0300  
(Previous: ADE-208-1299)  
Rev.3.00  
Jan 10, 2006  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
4
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.3.00 Jan 10, 2006 page 1 of 7  

与2SK1623STL-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1624 HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET
2SK1624(L) HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.4ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
2SK1624(S) RENESAS

获取价格

2.4ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SK1624(S) HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.4ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
2SK1624(S)TL HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1624(S)TL RENESAS

获取价格

4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1624(S)TR HITACHI

获取价格

暂无描述
2SK1624(S)TR RENESAS

获取价格

4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1624L HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET
2SK1624L RENESAS

获取价格

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,4A I(D),TO-262AA