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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 3.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1334BYTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1334BYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYTR | RENESAS |
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1A, 200V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1334BYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1335 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1335(L)|2SK1335(S) | ETC |
获取价格 |
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| 2SK1335(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
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