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2SK1337RF

更新时间: 2024-11-10 13:04:27
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 75K
描述
0.3A, 100V, 6.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92

2SK1337RF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:6.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1337RF 数据手册

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2SK1337  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0934-0200  
(Previous: ADE-208-1274)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003ZA-A  
(Package name: TO-92(1))  
D
1. Source  
2. Drain  
3. Gate  
G
3
2
1
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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