5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1335(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
3A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK1335L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1335S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1336 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1336 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1336-E | RENESAS |
获取价格 |
300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92, 3 PIN |
|
| 2SK1336RF | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK1336RF | RENESAS |
获取价格 |
0.3A, 60V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92 |
|
| 2SK1336RR | RENESAS |
获取价格 |
0.3A, 60V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92 |
|
| 2SK1336RR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
