2SK1334BYUL

更新时间： 2024-11-08 13:04:27

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日立 - HITACHI		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK1334BYUL 数据手册

2SK1334

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary Breakdown

Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Outline

UPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1334BYUR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1334BYUR	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1335	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK1335(L)\|2SK1335(S)	ETC	获取价格
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2SK1335(S)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
2SK1335(S)TL	RENESAS	获取价格	3 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1335(S)TR	RENESAS	获取价格	3A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1335L	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK1335S	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET