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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | UPAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1334BYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYTR | RENESAS |
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1A, 200V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1334BYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1334BYUR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1335 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1335(L)|2SK1335(S) | ETC |
获取价格 |
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| 2SK1335(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
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| 2SK1335(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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