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2SK1334BYTL

更新时间: 2024-11-08 12:59:43
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日立 - HITACHI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1334BYTL 数据手册

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2SK1334  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary Breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
UPAK  
1
2
3
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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