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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1310A | TOSHIBA |
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TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE |
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| 2SK1310A_07 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOS FET for VHF TV BROADCAST TRANSMITTER |
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| 2SK1311 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-89 |
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| 2SK1313 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1313 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1313(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1313(L)(S)|2SK1314(L)(S) | ETC |
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| 2SK1313(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1313(S)-(1) | HITACHI |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,5A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK1313(S)-(2) | HITACHI |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,5A I(D),TO-263AB |
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