5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1313L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1313L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1313L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1313S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1313S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1313S-E | RENESAS |
获取价格 |
5A, 450V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1313STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1314 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1314(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK1314(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
