5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LDPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1314L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1314S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1314S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1314STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1314STR-E | RENESAS |
获取价格 |
2SK1314STR-E |
|
| 2SK1315 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1315 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1315(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1315(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1315(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.7 ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
