是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.31 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.7 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK1315L-E | RENESAS |
功能相似 |
2SK1315L-E |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1315L-E | RENESAS |
获取价格 |
2SK1315L-E | |
2SK1315S | RENESAS |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1315S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1316 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1316 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1316(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | |
2SK1316(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | |
2SK1316(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | |
2SK1316(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2SK1316(S)TR | RENESAS |
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暂无描述 |