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2SK1324

更新时间: 2024-11-09 01:17:47
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无锡固电 - ISC /
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Drain Current –ID=2A@ TC=25C

2SK1324 数据手册

 浏览型号2SK1324的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc N-Channel MOSFET Transistor  
2SK1324  
DESCRIPTION  
·Drain Current ID=2A@ TC=25℃  
·Drain Source Voltage-  
: VDSS=900V(Min)  
APPLICATIONS  
·Designed for high voltage, high speed power switching.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VDSS  
VGS  
ID  
VALUE  
900  
UNIT  
V
ARAMETER  
Drain-Source Voltage (VGS=0)  
Gate-Source Voltage  
±20  
2
V
Drain Current-continuous@ TC=25℃  
Total Dissipation@TC=25℃  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
A
Ptot  
75  
W
Tj  
150  
Tstg  
-55~150  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
0.83  
35  
UNIT  
/W  
/W  
Rth j-c  
Thermal Resistance,Junction to Case  
Thermal Resistance,Junction to Ambient  
Rth j-a  
1
isc websitewww.iscsemi.cn  
isc & iscsemi is registered trademark  
PDF pdfFactory Pro  
www.fineprint.cn  

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