5秒后页面跳转
2SK1317-E PDF预览

2SK1317-E

更新时间: 2024-11-08 06:25:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1317-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.44Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:732
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name:SC-65
Samacsys Released Date:2019-11-28 04:31:04Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 A
最大漏极电流 (ID):2.5 A最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):7 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1317-E 数据手册

 浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1317-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SK1317  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0929-0200  
(Previous: ADE-208-1268)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
High breakdown voltage VDSS = 1500 V  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
G
S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

2SK1317-E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK1317 RENESAS

功能相似

Silicon N Channel MOS FET
2SK1317 HITACHI

功能相似

Silicon N-Channel MOS FET

与2SK1317-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1318 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK1318 HITACHI

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK1318-E RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK1319 ISC

获取价格

Drain Current –ID= 8A@ TC=25C
2SK1321 ISC

获取价格

Drain Current –ID= 5A@ TC=25C
2SK1322 ISC

获取价格

Drain Current –ID= 5A@ TC=25C
2SK1324 ISC

获取价格

Drain Current –ID=2A@ TC=25C
2SK1327L ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-251VAR
2SK1327S ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-252VAR
2SK1328 HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET