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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1315(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1315(S)TL | RENESAS |
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8A, 450V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1315(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK1315(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
8A, 450V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1315L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1315L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1315L-E | RENESAS |
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2SK1315L-E |
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| 2SK1315S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1315S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1316 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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