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2SK1313L

更新时间: 2024-11-25 06:26:31
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1313L 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:LDPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:1.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1313L 数据手册

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2SK1313(L), 2SK1313(S)  
2SK1314(L), 2SK1314(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0927-0200  
(Previous: ADE-208-1266)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
4
D
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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