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2SK1313L-E

更新时间: 2024-11-08 06:26:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1313L-E 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LDPAK(L)包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.45Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:1.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1313L-E 数据手册

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2SK1313(L), 2SK1313(S)  
2SK1314(L), 2SK1314(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0927-0200  
(Previous: ADE-208-1266)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
4
D
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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