2SJ496

更新时间： 2024-02-06 04:12:10

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	87K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ496 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-92 Mod
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.25
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ496 数据手册

2SJ496

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

–10

–8

–6

–4

–2

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

I_AP= –5 A

V_DD= –25 V

duty < 0.1 %

Rg ≥ 50 Ω

–10 V

–5 V

V_GS= 0, 5 V

Pulse Test

–1.2 –1.6 –2.0

–0.4

–0.8

100

125

150

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Channel Temperature Tch (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Ta = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.03

0.01

θch – a (t) = γ s (t) • θch – a

θch – a = 139°C/W, Ta = 25°C

D =

P_DM

0.003

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

10000

Pulse Width PW (S)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

V_DSS

V_DSS– V_DD

E_AR

• L • I_AP•

V_DS

Monitor

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

15 V

50 Ω

V_DD

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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