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2SJ486ZU-TR-E

更新时间： 2024-01-17 09:35:01

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
7页	79K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ486ZU-TR-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ486ZU-TR-E 数据手册

2SJ486

Package Dimensions

JEITA Package Code

RENESAS Code

Package Name

MASS[Typ.]

0.011g

MPAK(T) / MPAK(T)V,

MPAK / MPAKV

SC-59A

PLSP0003ZB-A

Dimension in Millimeters

Reference

Symbol

Min

1.0

Nom

Max

1.3

0.1

1.2

1.0

1.1

0.25

0.42

0.4

0.35

0.1

0.5

0.13

0.11

0.15

2.7

3.1

e₁

1.35

1.5

0.95

2.8

1.65

2.2

3.0

0.35

0.15

0.25

0.75

0.55

0.65

0.05

0.55

1.95

0.3

1.05

A-A Section

Pattern of terminal position areas

Ordering Information

Part Name

Quantity

Shipping Container

2SJ486ZU-TL-E

2SJ486ZU-TR-E

3000 pcs

Taping

Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of

production before ordering the product.

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 6 of 6

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与2SJ486ZU-TR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ486ZU-UL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ486ZU-UR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ487	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ488	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ489	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ49	HITACHI	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER	获取价格