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2SJ486ZU-TR-E

更新时间： 2024-01-28 21:58:06

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 ISM频段
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7页	79K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ486ZU-TR-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ486ZU-TR-E 数据手册

2SJ486

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–30

Unit

±10

–0.3

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–0.6

Channel dissipation

Pch

Tch

Tstg

150

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 100 µs, duty cycle ≤ 10%

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_DSS

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

I_D= –10 µA, V_GS= 0

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

–30

±10

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

—

–1.0

±5.0

–1.5

0.65

1.2

—

µA

V_DS= –30 V, V_GS= 0

I_GSS

—

V_GS= ±6.5 V, V_DS= 0

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–0.5

—

I_D= –10 µA, V_DS= –5 V

I_D= –100 mA, V_GS= –4 V ^{Note 2}

I_D= –100 mA, V_GS= –2.5 V ^{Note 2}

I_D= –100 mA, V_DS= –10 V ^{Note 2}

V_DS= –10 V

0.5

0.7

0.65

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

0.4

—

Ciss

—

V_GS= 0

Coss

Crss

—

f = 1 MHz

—

5.4

120

340

850

550

—

t_{d (on)}

—

V_GS= –4 V

I_D= –150 mA

R_L= 66.6 Ω

t_r

—

Turn-off delay time

Fall time

t_{d (off)}

—

t_f

—

Note: 2. Pulse test

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 2 of 6

123 4 5 6 7

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与2SJ486ZU-TR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ486ZU-UL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ486ZU-UR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
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2SJ488	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ489	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-252	获取价格
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