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2SJ486ZU-TR-E

更新时间： 2024-02-07 07:41:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 ISM频段
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7页	79K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ486ZU-TR-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ486ZU-TR-E 数据手册

2SJ486

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–1

–0.3

–0.1

200

150

100

1 ms

PW = 10 ms

(1 shot)

DC Operation

–0.03 Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.01

–0.003

–0.001

Ta = 25°C

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Ambient Temperature Ta (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

–5 V

V_DS= –10 V

Pulse Test

–10 V

–4 V

–2.5 V

–2 V

Ta = 25°C

Pulse Test

Tc = 75°C

25°C

V_GS= –1.5 V

–25°C

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–0.5

Ta = 25°C

Pulse Test

Ta = 25°C

Pulse Test

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

V_GS= –2.5 V

0.5

–4 V

I_D= –0.2 A

–0.1 A

0.2

0.1

–2

–4

–6

–8

–10

–0.01 –0.03 –0.1 –0.3

–1

–3

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6

1 234 5 6 7

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与2SJ486ZU-TR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ486ZU-UL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ486ZU-UR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ487	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ488	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ489	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-252	获取价格
2SJ49	HITACHI	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER	获取价格