Datasheet > 2SJ319(S)-(2)

2SJ319(S)-(2)

更新时间： 2024-02-23 08:13:02

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
11页	51K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ319(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ319(S)-(2) 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

1000

500

Ciss

200

100

200

100

Coss

= 0

f = 1 MHz

di/dt = 50 A/µs, V

duty < 1 %, Ta = 25 °C

= 0

Crss

–10

–20

–30

-40

–50

(V)

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–5

Reverse Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage V

Switching Characteristics

= –10 V, V = –30 V

Dynamic Input Characteristics

500

= –50 V

–100 V

–150 V

duty < 1 %, PW = 2 µs

200

100

–100

–200

–300

–4

VDD = –150 V

–8

d(off)

–100 V

–50 V

–12

d(on)

–400

–500

–16

–20

–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

Drain Current

(A)

Gate Charge Qg (nc)

1 2 3 456 7 8...11

下载PDF

与2SJ319(S)-(2)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319(S)-(3)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ319(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格