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2SJ319(S)-(2)

更新时间: 2024-02-29 00:28:08
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
11页 51K
描述
Transistor

2SJ319(S)-(2) 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

2SJ319(S)-(2) 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Package Dimensions  
As of January, 2001  
Unit: mm  
6.5 ± 0.5  
5.4 ± 0.5  
2.3 ± 0.2  
0.55 ± 0.1  
1.2 ± 0.3  
1.15 ± 0.1  
0.8 ± 0.1  
0.55 ± 0.1  
2.29 ± 0.5  
2.29 ± 0.5  
Hitachi Code  
JEDEC  
DPAK (L)-(1)  
EIAJ  
Conforms  
0.42 g  
Mass (reference value)  
8

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