2SD968AH

更新时间： 2024-11-18 13:04:23

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松下 - PANASONIC		晶体驱动器小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD968AH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	65	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SD968AH 数据手册

Transistor

2SD968, 2SD968A

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB789 and 2SB789A

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Large collector power dissipation P_C.

45°

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

2SD968

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

100

V_CBO

marking

base voltage

Collector to

2SD968A

2SD968

120

100

V_CEO

2SD968A

emitter voltage

120

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

(2SD968)

Marking symbol : W

I_C

0.5

(2SD968A)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

Conditions

I_C= 100µA, I_B= 0

min

100

120

typ

max

Unit

Collector to emitter 2SD968

voltage

2SD968A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 10V, I_C= 150mA^*2

V_CE= 5V, I_C= 500mA^*2

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

220

h_FE1

h_FE2

Forward current transfer ratio

100

0.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

0.6

1.2

0.85

120

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

2SD968

Marking

Symbol

2SD968A

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