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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 65 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD968Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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| 2SD968R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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| 2SD968TX | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD969 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type) |
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| 2SD970 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD970 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD970 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD970 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD970(K) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD970K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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