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2SD968R

更新时间： 2024-01-06 05:01:48

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	66K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62

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2SD968R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	65	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SD968R 数据手册

Transistor

2SD0968, 2SD0968A (2SD968, 2SD968A)

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB0789 (2SB789) and 2SB0789A (2SB789A)

1.5 0.1

4.5 0.1

1.6 0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

Large collector power dissipation P_C.

45°

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4 0.08

0.4 0.04

0.5 0.08

1.5 0.1

3.0 0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

2SD0968

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

100

V_CBO

marking

base voltage

Collector to

2SD0968A

2SD0968

2SD0968A

120

100

V_CEO

emitter voltage

120

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

(2SD0968)

Marking symbol : W

I_C

0.5

(2SD0968A)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

Conditions

I_C= 100µA, I_B= 0

min

100

120

typ

max

Unit

Collector to emitter 2SD0968

voltage

2SD0968A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 10V, I_C= 150mA^*2

V_CE= 5V, I_C= 500mA^*2

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

220

h_FE1

h_FE2

Forward current transfer ratio

100

0.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

0.6

1.2

0.85

120

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

FE1

Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

2SD0968

Marking

Symbol

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional

part number.

2SD0968A

12 3

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与2SD968R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD968TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD969	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)
2SD970	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD970	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD970	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD970	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD970(K)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
2SD970K	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD970K	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD970K-E	RENESAS	获取价格	8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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