2SD973A

更新时间： 2024-11-17 22:49:27

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

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2SD973A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.87
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD973A 数据手册

Transistor

2SD973, 2SD973A

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

Features

■

R0.9

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.7

0.85

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.55±0.1

0.45±0.05

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD973

2SD973A

2SD973

V_CBO

base voltage

Collector to

V_CEO

emitter voltage 2SD973A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.5

V_EBO

I_CP

1:Base

1.5

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

0.1

µA

Collector to base

voltage

2SD973

2SD973A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SD973

V_CEO

V_EBO

I_C= 2mA, I_B= 0

voltage

2SD973A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10V, I_C= 500mA^*2

V_CE= 5V, I_C= 1A^*2

160

100

0.2

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

0.4

1.2

0.85

200

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0. f = 1MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

12 3

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